اس ام اس جدید سری 27
مقاله ترجمه شده مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری 65CMOS نانومتری
فرمت فایل دانلودی: .zipفرمت فایل اصلی: docx
تعداد صفحات: 13
حجم فایل: 1801 کیلوبایت
قیمت: 13500 تومان
توضیحات:
مقاله ترجمه شده رشته مهندسی برق با عنوان مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری CMOS شصت و پنج نانومتری، در قالب فایل word و در حجم 13 صفحه، همراه با مقاله انگلیسی زبان اصلی.
عنوان مقاله زبان اصلی:
New Subthreshold Concepts in 65nm CMOS Technology
ترجمه چکیده:
در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایشهای گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.
فهرست مطالب:
چکیده
مقدمه
مشخصه های زیرآستانه ای در فناوری 65 نانومتر
تحلیل DC
تاثیر Stacking در فناوری 65 نانومتر
فلیپ فلاپ در ناحیه زیرآستانه ای
فلیپ فلاپ لچ هیبریدی
فلیپ فلاپ تقویت کننده حسگری
نتیجه گیری
پرداخت با کلیه کارتهای عضو شتاب امکان پذیر است.
پرسشنامه عوامل موثر بر کیفیت آموزش بالینی (تذکری و همکاران، 1394)